Snapdragon 845 создан по 10-нанометровой технологии

26.10.2017 13:44

Многие ценители высоких технологий ждут, когда Qualcomm познакомит публику с новой топовой платформой Snapdragon 845, ведь это позволит узнать о том, какими возможностями будут обладать флагманы следующего года. Последние сведения говорят о том, что чипмейкер допиливает свой флагманский процессор и представит его до конца нынешнего года. Несмотря на предсказания, что изготовлен он будет по нормам 7-нанометрового техпроцесса, пришло очередное подтверждение, что в его основу ляжет 10-нм технология LPE FinFET (Low Power Early).

Ожидается, что новая платформа получит обновленные процессорные ядра Kryo, графику Adreno 630 и LTE-модем X20. По слухам, нас ждет повторение ситуации с Snapdragon 835, когда Samsung скупила первые партии чипов для собственных флагманов. Хотя есть и те, кто утверждает, что южнокорейский гигант решил сменить ориентиры и сделает ставку на фирменный чип Exynos, поэтому монополии на новый продукт Qualcomm не будет. Уже известно, что Samsung освоила 8-нанометровый техпроцесс и готова начать массовое производство чипа на его основе. Возможно, речь идет о Exynos 9810, который также может получить нейронный сопроцессор для работы с искусственным интеллектом. Первые коммерческие продукты с Snapdragon 845 появятся на рынке в первом квартале 2018 года и ими станут флагманы Galaxy S9 и Xiaomi Mi7.

Snapdragon 845 создан по 10-нанометровой технологии