Samsung объявила о старте массового производства 10-нм чипов второго поколения

30.11.2017 0:19

Компания Samsung Electronics, являющаяся лидером в области полупроводниковой продукции, сегодня объявила о старте массового производства чипов, построенных по нормам второго поколения технологии FinFET — Low Power Plus (LPP). Новая разработка 10LPP позволила получить прирост производительности на 10% и уменьшить потребление энергии на 15% по сравнению с 10-нанометровой технологией первого поколения 10 LPE (Low Power Early). Есть предположения, что Snapdragon 845, Exynos 9810 и Snapdragon 670 и будут теми платформами, что созданы по технологии 10LPP.

Новые мобильные чипы найдут свое применение в различных устройствах, которые появятся на рынке уже в начале следующего года. В пресс-релизе компании заявлено, что в течение всего последующего года она будет наращивать выпуск 10-нанометровых чипов последнего поколения, чтобы предлагать «клиентам отличные конкурентные преимущества для широкого спектра приложений». Для этого Samsung запустила новейшую производственную линию S3 у себя на родине в Южной Кореи, ставшей третьей по величине сборочной линией в ее арсенале. Именно на S3 южнокорейский гигант планирует в будущем наладить серийное производство 7-нанометовых чипов по технологии EUV (Extreme Ultra Violet).

Источник